发光的二极管是半导体吗

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京东方A申请发光二极管芯片专利,可以改善3D显示中的摩尔纹京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及其制备方法“,公开号CN117954470A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及其制备方法。发光二极管芯片包括:第一半导体层;量...

三星申请发光二极管专利,提高显示模块性能三星电子株式会社申请一项名为“发光二极管和使用该发光二极管的显示模块“,公开号CN117280481A,申请日期为2021年11月。专利摘要显示,公开了一种发光二极管和使用该发光二极管的显示模块。所公开的发光二极管包括:第一半导体层;有源层,设置在第一半导体层上;第二半导体...

京东方A申请显示技术专利,降低显示基板中驱动电路与发光二极管整合...以及图案化设置在所述衬底基板一侧的发光二极管和驱动电路,所述发光二极管包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层;其中,所述发光二极管位于所述发光区域,所述驱动电路位于所述非发光区域;所述驱动电路分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层连接,用于驱动所...

＼　＿　／ 沃格光电申请微型发光二极管背光制造方法专利,避免油墨颗粒影响...金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,江西沃格光电股份有限公司申请一项名为“一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备“,公开号CN117855351A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本申请提供一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备,方...

华为公司申请微型发光二极管芯片专利,提高微型发光二极管芯片的...华为技术有限公司申请一项名为“微型发光二极管芯片、其制作方法、显示面板及电子设备“,公开号CN117199206A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本申请提供一种微型发光二极管芯片、其制作方法、显示面板及电子设备。微型发光二极管芯片可以包括:第一半导体层,第二半...

京东方A申请发光二极管芯片及其制备方法和显示装置专利,能将预设...本公开提供了一种发光二极管芯片,包括:多个外延结构,位于基底一侧,任意相邻的两个外延结构之间具有间隙,多个外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层;第一挡光层,位于第一半导体层远离基底一侧,第一挡光层上形成有与外延结构一一对应的多个容纳孔,外延结构的发光...

⊙ω⊙ TCL科技取得复合材料及其制备方法和量子点发光二极管专利,该专利...TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料及其制备方法和量子点发光二极管“,授权公告号CN113809248B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示,本发明属于发光器件材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括有机半导体材料...

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北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,北京大学取得一项名为“一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法“,授权公告号CN114373837B,申请日期为2021年11月。专利摘要显示,本发明涉及化合物半导体光电子器件领域,尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光...

●＾● ...申请复合材料专利,有利于制备得到发光效率高且寿命长的发光二极管发光二极管以及显示装置“,公开号CN117529132A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开一种复合材料、复合材料薄膜、发光二极管以及显示装置,该复合材料包括具有双脲基的配体修饰的无机半导体材料。本申请所述的复合材料通过具有双脲基的配体中独特的对称羰基...

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乾照光电上涨5.33%,报6.72元/股公司是国内领先的全色系超高亮度发光二极管外延片及芯片生产厂商,主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Mini-LED/Micro-LED等化合物半导体器件的研发、生产与销售。公司拥有超过19万平方米的现代化洁净厂房,上万台(套)国际最先进的外延生长和芯片制造等设备,产品广泛...

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