您当前的位置:首页 > 博客教程

发光的二极管自发光_发光的二极管自发光

时间:2025-05-26 12:54 阅读数:4458人阅读

*** 次数:1999998 已用完,请联系开发者***

发光的二极管自发光原理

TCL科技获得发明专利授权:“量子点发光二极管及其制备方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权,专利名为“量子点发光二极管及其制备方法”,专利申请号为CN202011628345.3,授权日为2025年5月2日。专利摘要:本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管包括第一量子点...

发光二极管是自发辐射吗

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F0128%2F20c0814bj00r6evnp000ic000hs00vmc.jpg&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg

发光二极管发什么光

厦门三安光电申请发光二极管及发光装置专利,提升发光二极管的可靠性金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,厦门三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN 118983379 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层,包括依次叠置的第一...

发光二极管的实例

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F0128%2Feadd26acj00r6evnp000zc000hs00vmc.jpg&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg

发光二极管发光的本质原因

厦门三安光电申请发光二极管及发光装置专利,提高焊盘与电极之间的...金融界 2024 年 10 月 18 日消息,国家知识产权局信息显示,厦门三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号 CN 118782709 A,申请日期为 2024 年 6 月。专利摘要显示,本发明公开了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括半导体叠层、第一电极...

发光二极管的发光原理是什么大物实验

124839dz903a4mzxz3j66j.jpg

发光二极管条件

o(╯□╰)o 泉州三安半导体科技有限公司申请发光二极管及发光装置专利,提高...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN 118943266 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本申请提供了一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括:发光外延层包括依次层叠的...

发光二极管什么原理

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F0422%2F7dc7f862j00raqlr1002yc000xc00lhm.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

山西中科潞安紫外光电科技取得倒装紫外发光二极管及其制备专利,...金融界 2024 年 9 月 1 日消息,天眼查知识产权信息显示,山西中科潞安紫外光电科技有限公司取得一项名为“一种倒装紫外发光二极管及其制备方法“,授权公告号 CN110931609B ,申请日期为 2019 年 9 月。专利摘要显示,本专利公开了一种倒装的紫外发光二极管芯片,包括:紫外发光二...

wKgAFFJYmqaAK_vfAAB0eA4S_4c290.jpg

江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管专利...金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管”的专利,公开号 CN 118782704 A,申请日期为 2024 年 9 月。专利摘要显示,本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉...

∩△∩ 1000

江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法、LED专利,提升...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利,公开号 CN 119029109 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明涉及光电技术领域,公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LE...

≥▽≤ 1721618817-6.png

∪ω∪ 京东方华灿光电申请提高发光角度的倒装发光二极管及其制备方法专利...金融界 2024 年 10 月 29 日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“提高发光角度的倒装发光二极管及其制备方法”的专利,公开号 CN 118825163 A,申请日期为 2024 年 6 月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种提高发光角度的倒装发光二极管...

a026a8f483454cf6a7fff11cf79297b6.png

ˋ△ˊ 京东方申请一种显示模组及显示装置专利,增加显示模组中发光二极管...所述光源包括多个沿第一方向间隔排列的发光二极管,且相邻的两个所述发光二极管之间形成不包含阻隔件的间隙;柔性支撑层,设置在所述背板的一侧,所述柔性支撑层沿第一方向延伸,且多个所述发光二极管均设置所述柔性支撑层远离所述背板的一侧,多个所述发光二极管与所述柔性支撑...

1721618819-7.png

≥▽≤ 江苏第三代半导体研究院申请掩模板的设计和微型发光二极管的制备...金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“掩模板的设计方法和微型发光二极管的制备方法”的专利,公开号CN 119045272 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明涉及一种掩模板的设计方法和微型发光二极管的制...

20200106171759_6384_zs_sy.jpg

迅达加速器部分文章、数据、图片来自互联网,一切版权均归源网站或源作者所有。

如果侵犯了你的权益请来信告知删除。邮箱:xxxxxxx@qq.com